Nd:YVO4 – ਡਾਇਓਡ ਪੰਪਡ ਸਾਲਿਡ-ਸਟੇਟ ਲੇਜ਼ਰ
ਉਤਪਾਦ ਵੇਰਵਾ
Nd:YVO4 Nd:YVO4 ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਅਤੇ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਡਬਲਿੰਗ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੇ ਨਾਲ ਸ਼ਕਤੀਸ਼ਾਲੀ ਅਤੇ ਸਥਿਰ IR, ਹਰੇ, ਨੀਲੇ ਲੇਜ਼ਰ ਪੈਦਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਉਹਨਾਂ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਵਿੱਚ ਵਧੇਰੇ ਸੰਖੇਪ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਅਤੇ ਸਿੰਗਲ-ਲੌਂਗੀਟਿਊਡੀਨਲ-ਮੋਡ ਆਉਟਪੁੱਟ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, Nd:YVO4 ਹੋਰ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਲੇਜ਼ਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਂ ਨਾਲੋਂ ਆਪਣੇ ਖਾਸ ਫਾਇਦੇ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ।
Nd:YVO4 ਦੇ ਫਾਇਦੇ
● ਘੱਟ ਲੇਸਿੰਗ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਅਤੇ ਉੱਚ ਢਲਾਣ ਕੁਸ਼ਲਤਾ
● ਲੇਸਿੰਗ ਵੇਵਲੇਂਥ 'ਤੇ ਵੱਡਾ ਉਤੇਜਿਤ ਨਿਕਾਸ ਕਰਾਸ-ਸੈਕਸ਼ਨ
● ਇੱਕ ਵਿਸ਼ਾਲ ਪੰਪਿੰਗ ਵੇਵੈਂਥ ਬੈਂਡਵਿਡਥ ਉੱਤੇ ਉੱਚ ਸਮਾਈ
● ਆਪਟੀਕਲੀ ਯੂਨੀਏਸ਼ੀਅਲ ਅਤੇ ਵੱਡਾ ਬਾਇਰਫ੍ਰਿੰਜੈਂਸ ਪੋਲਰਾਈਜ਼ਡ ਲੇਜ਼ਰ ਨੂੰ ਬਾਹਰ ਕੱਢਦਾ ਹੈ।
● ਪੰਪਿੰਗ ਵੇਵੈਂਲਥ 'ਤੇ ਘੱਟ ਨਿਰਭਰਤਾ ਅਤੇ ਸਿੰਗਲ ਮੋਡ ਆਉਟਪੁੱਟ ਵੱਲ ਰੁਝਾਨ।
ਮੁੱਢਲੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
| ਪਰਮਾਣੂ ਘਣਤਾ | ~1.37x1020 ਪਰਮਾਣੂ/ਸੈ.ਮੀ.2 |
| ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ | ਜ਼ੀਰਕੋਨ ਟੈਟਰਾਗੋਨਲ, ਸਪੇਸ ਗਰੁੱਪ D4h, a=b=7.118, c=6.293 |
| ਘਣਤਾ | 4.22 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ.2 |
| ਮੋਹਸ ਕਠੋਰਤਾ | ਕੱਚ ਵਰਗਾ, 4.6 ~ 5 |
| ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ ਗੁਣਾਂਕ | αa=4.43x10-6/K, αc=11.37x10-6/K |
| ਪਿਘਲਣ ਬਿੰਦੂ | 1810 ± 25℃ |
| ਲੇਸਿੰਗ ਵੇਵਲੈਂਥ | 914nm, 1064 nm, 1342 nm |
| ਥਰਮਲ ਆਪਟੀਕਲ ਗੁਣਾਂਕ | ਡੀਐਨਏ/ਡੀਟੀ=8.5x10-6/ਕੇ, ਡੀਐਨਸੀ/ਡੀਟੀ=3.0x10-6/ਕੇ |
| ਉਤੇਜਿਤ ਨਿਕਾਸ ਅਨੁਪ੍ਰਸਥ ਕਾਟ | 25.0x10-19 cm2, @1064 nm |
| ਫਲੋਰੋਸੈਂਟ ਜੀਵਨ ਭਰ | 90 ms (2 atm% Nd ਡੋਪਡ ਲਈ ਲਗਭਗ 50 ms) @ 808 ਐਨਐਮ |
| ਸਮਾਈ ਗੁਣਾਂਕ | 31.4 ਸੈ.ਮੀ.-1 @ 808 ਐਨ.ਐਮ. |
| ਸਮਾਈ ਲੰਬਾਈ | 0.32 ਮਿਲੀਮੀਟਰ @ 808 ਐਨਐਮ |
| ਅੰਦਰੂਨੀ ਨੁਕਸਾਨ | 0.1% cm-1 ਤੋਂ ਘੱਟ, @1064 nm |
| ਬੈਂਡਵਿਡਥ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰੋ | 0.96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| ਪੋਲਰਾਈਜ਼ਡ ਲੇਜ਼ਰ ਨਿਕਾਸ | ਆਪਟਿਕ ਧੁਰੇ (c-ਧੁਰੇ) ਦੇ ਸਮਾਨਾਂਤਰ |
| ਡਾਇਓਡ ਪੰਪਡ ਆਪਟੀਕਲ ਤੋਂ ਆਪਟੀਕਲ ਕੁਸ਼ਲਤਾ | > 60% |
| ਸੇਲਮੀਅਰ ਸਮੀਕਰਨ (ਸ਼ੁੱਧ YVO4 ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਂ ਲਈ) | no2(λ) =3.77834+0.069736/(λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2 |
| no2(λ) =4.59905+0.110534/(λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2 |
ਤਕਨੀਕੀ ਮਾਪਦੰਡ
| ਐਨਡੀ ਡੋਪੈਂਟ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ | 0.2 ~ 3 ਏਟੀਐਮ% |
| ਡੋਪੈਂਟ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ | ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਦੇ 10% ਦੇ ਅੰਦਰ |
| ਲੰਬਾਈ | 0.02 ~ 20mm |
| ਕੋਟਿੰਗ ਨਿਰਧਾਰਨ | AR @ 1064nm, R< 0.1% ਅਤੇ HT @ 808nm, T>95% |
| HR @ 1064nm, R> 99.8% ਅਤੇ HT@ 808nm, T> 9% | |
| HR @ 1064nm, R>99.8%, HR @ 532 nm, R>99% ਅਤੇ HT @ 808 nm, T>95% | |
| ਦਿਸ਼ਾ-ਨਿਰਦੇਸ਼ | ਏ-ਕੱਟ ਕ੍ਰਿਸਟਲਿਨ ਦਿਸ਼ਾ (+/-5℃) |
| ਅਯਾਮੀ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ | +/-0.1mm(ਆਮ), ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ +/-0.005mm ਬੇਨਤੀ ਕਰਨ 'ਤੇ ਉਪਲਬਧ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ। |
| ਵੇਵਫ੍ਰੰਟ ਡਿਸਟੋਰਸ਼ਨ | 633nm 'ਤੇ <λ/8 |
| ਸਤ੍ਹਾ ਗੁਣਵੱਤਾ | ਪ੍ਰਤੀ MIL-O-1380A 20/10 ਸਕ੍ਰੈਚ/ਡਿਗ ਤੋਂ ਬਿਹਤਰ |
| ਸਮਾਨਤਾ | < 10 ਚਾਪ ਸਕਿੰਟ |
ਆਪਣਾ ਸੁਨੇਹਾ ਇੱਥੇ ਲਿਖੋ ਅਤੇ ਸਾਨੂੰ ਭੇਜੋ।
